中新网4月1日电　据美国《世界日报》报道，美国专利商标局国家发明家名人堂 (National Inventors Hall of Fame)日前公布2009年入选名单，Alcatel-Lucent贝尔实验室 (Bell Lab)半导体研究副总裁卓以和(Alfred Y. Cho)为今年入选唯一华裔科学家。英特尔共同创办人葛洛夫 (Andrew S.Grove)则获终身成就奖。

　　由于2009年恰好的集成电路 (integrated circuit)发明的50周年，今年表扬的15位发明家名人堂人士都在半导体相关领域。主办单位将于5月2日扩大在硅谷“计算机历史博物馆”(Computer History Museum)颁奖。

　　卓以和被尊称为“束磊晶之父”(the father of molecular beam epitaxy)，他的发明是分子束磊晶(简称MBE)技术。MBE技术能够让有序材料以单原子层为单位进行生长。它可用在生产与电子时代紧密相关的高端设备，例如手机射频开关、前端放大器及功率放大器、CD/DVD播放器等。

　　卓以和在北京出生，拥有伊利诺大学电机博士，专长为应用物理科学和工程科学。曾任职Ion Physics Corp、TRWSpace Technology Labs，1968年进入贝尔实验室，1984年升任部门主管、1987年升任物质处理研究实验室主任、1990年升任半导体研究实验室主任、2000年升任副总裁。

　　他曾获选为美国国家科学院院士、美国工程院院士、美国物理学会会员。1996年成为中国科学院外籍院士。曾于1993年获颁美国科学家最高荣誉的国家科学奖章。由于束磊晶在雷射、医学检测、环境分析、半导体制造等方面得到广泛应用，卓以和于2007年获颁美国国家科学奖章及国家技术奖章。

　　美国专利商标局国家发明家名人堂由美国专利局及知识产权法协会于1973年成立，连同今年十位在世及五位已故入选者在内，已有多达400多位发明家入选。过去亦曾有其它华人入选，包括王安计算机创办人王安。

　　今年入选美国专利商标局国家发明家名人堂的科学家还有贝尔实验室Martin M. Atalla、Xilinx共同创办人Ross Freeman、英特尔以色列办公室创始人Dov Frohman-Bentchkowsky、RCA实验室液晶显示器技术先锋科学家George Heilmeier、特许半导体(Fairchild Semiconductor)共同创办人Jean Hoerni、德州仪器科学家Larry Hornbeck、贝尔实验室Dawon Kahng、Sprague Ecectronics科学家John Macdougall、Ken Manchester、特许半导体、英特尔共同创办人Gordon Moore、加州理工学院退休教授Carver Mead、科学家Groden Teal、Frank Wanlass、Robert Widlar。(吴日君)