AMD 45nm工艺制程的特点：  

    与竞争对手大力宣传的High-K+金属栅结构的45nm制程工艺不同，AMD方面在工艺演进中所选择的，是来自IBM工艺阵营的解决方案。在45nm这一关键节点上，AMD方面并没有采用竞争对手的方案，而是启用了包括浸润蚀刻（Immersion lithography）在超低K电介质互联（Ultra low-K）内的几项前沿技术，同样实现了相当优异的效果，甚至在部分环节，诸如核心频率极限及核心耐压值等方面保持着一定的优势。

    浸润蚀刻（Immersion lithography）技术是目前半导体界普遍看好的新技术之一，AMD方面率先将其导入了X86处理器生产线。通过浸润蚀刻（Immersion lithography）的应用，芯片的蚀刻过程可以得到更优的折射效果，更小更精密的的晶圆几何体结构，并且在晶体管性能上可以获得额外的提升。

    超低K电介质互联（Ultra low-K）是由IBM阵营引领的另一项前沿技术，通过超低K电介质互联（Ultra low-K）的应用，能够降低互联电容、写入延迟和能量消耗，从而明显提高性能功耗比（每瓦特性能）。它可以降低金属层间的电容量与导线延迟，对于进一步提升处理器效能与减少能源耗损是非常重要的步骤。在保证互联电介质机械强度的同时，超低k电介质技术能减小其介电常数。与目前的low-k电介质相 比，Ultra-low-k 电介质能降低15％左右的写入延迟。

    此外，配合新技术的使用，AMD处理器所使用SOI制造工艺也展现出良好的耐压特性，在超频状态下，AMD 45nm处理器普遍可以承受1.5V以上的电压冲击4GHz以上  的极限频率。
    本周，由AMD特别提供的极品特供处理器Phenom II 42 TWKR在开启四颗核心的情况下，成功冲击了7GHz大关，创造了4核心处理器的最新世界记录（默认频率：2.0GHz，超频幅度达到250%）。