朗科发布新款闪存盘U217 读写速度大幅提升——中新网
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    朗科发布新款闪存盘U217 读写速度大幅提升
2009年09月03日 14:59 来源:中国新闻网 发表评论  【字体:↑大 ↓小

  中新网9月3日电 日前,全球移动存储领导厂商朗科公司发布的一款新品闪存盘U217引起了人们的广泛关注。它的连续读写速度达到了32MB/sec、21MB/sec,随机读写速度达到了32MB/sec、12MB/sec,后者更是全球著名品牌同类产品的4倍左右。

  据悉,2008年闪存盘产品平均读写速度在10MB/sec左右(说明:一般读为12~18,写5~8),而这一速度通常指的是连续读写大小达100MB以上的单一文件的速度,如果将几十上百个文件存放在一个文件夹中,然后拷贝这一文件夹,其拷贝速度将急剧下降4~5倍,只有1~3MB/sec左右——这就是随机写速度。

  “朗科U217的最大设计容量为128GB,这对闪存盘来说是一个全新的时代,这个时代对读写速度的要求与以往截然不同。”有业内分析人士表示,它不仅要求闪存盘的连续读写速度要足够快,还要求其随机读写速度也能跟上“扩容”的步伐。

  朗科U217通过独特的技术手段,成功地将闪存盘随机写速度提高到12 MB/sec,是全球第一款成功跨越百GB容量速度门槛的闪存盘。

  据悉,朗科三大闪存技术主要通过“闪存芯片的控制加速、双通道倍速和nSpeed提速技术”三种方法来实现速度的显著提升。其中,新的闪存控制技术可以让闪存盘读写速度提高30~40%。而双通道技术则直接将闪存盘的读写技术提高到两倍。

  尤其值得一提的是nSpeed技术。据朗科技术人员介绍,当前的操作系统都是针对传统硬盘设计的,包含很多优化传统机械硬盘的机制。而这些优化机制对闪存盘是无效甚至有害,从而使闪存盘不能100%地发挥出应有的性能。

  “朗科nSpeed加速技术正是为优化闪存盘性能而诞生,它在目前的操作系统下,使闪存盘成功突破主机端的限制,将闪存的读写速度垂直飙升。”朗科相关技术人员表示。

  IT产业总是以一款新产品来标志一个时代的开始,比如P4、winXP,液晶显示器、甚至光电鼠、无线鼠标……,有行业人士表示;“就具备实用价值的百GB容量的闪存盘来说,朗科U217似乎也扮演了类似的角色”。

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直隶巴人的原贴:
我国实施高温补贴政策已有年头了,但是多地标准已数年未涨,高温津贴落实遭遇尴尬。
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