IC电路升级 台企业完成28纳米最小线宽修改

　　中新网2月13日电 据台湾“今日新闻网”报道，台湾半导体市场在2012年将会正式跨入28纳米制程时代，宜特科技公司13日宣布，今年正式突破技术门坎，不仅替客户完成难度极高的28纳米最小线宽修改，且电路除错能力更深入至IC最底层(Metal 1)。

　　宜特指出，经观察发现28纳米是现今市场上各大厂欲跨入的制程，此制程可为IC产品带来更高的效能，更低的能耗，与更轻薄短小的尺寸，相当符合现今行动装置的需求，因此许多大厂纷纷导入。因此，自2010年开始布局，2011年与知名IC设计大厂合作，历经研究测试，今年正式突破技术门坎。

　　宜特表示，晶圆代工龙头台积电在2011底率先量产28纳米制程产品，预估今年28纳米制程产品将达整体营收的10%。市占率居次的联电近期也传出接获数间大厂的28纳米订单，进入试产阶段。紧追在后的三星电子及格罗方德(Global foundries)，也各自有其在先进制程上的布局。

　　宜特可靠度与FIB工程处副总经理崔革文表示，28纳米在设计与布局上的复杂度大幅升高，并且很难有一套通用的可制造性设计(Design for manufacture，DFM)模型来确保设计与布局的正确性，将导致IC设计业者须进行更为频繁的光罩改版，增加时间成本与金钱成本的负担，一套28纳米光罩要价近2亿元，是40纳米的好几倍，往来重新下光罩也需1个多月。

　　因此，许多业者采FIB(Focused ion beam，聚焦离子束)线路修改技术，藉此省去光罩改版的时间与金钱成本。崔革文说：“FIB在28纳米产品的除错与验证上势必将扮演更为重要的角色。“

　　FIB工程处经理许如宏表示，早在2010年，宜特就展开28纳米IC线路修改的研究与布局，针对最底层(Metal 1)的极小线路作修改测试，并从极小间距中，研究如何设定正确参数将讯号引出，还可利用独有的低阻值联机技术，克服过大阻值易造成高频讯号的延迟与失真，目前在各个环节上均已完成验证，技术能量已可满足现今所有先进制程产品的除错与验证需求。